GD50HFU120C1S IGBT模块拓扑图

GT10IP120A7H    红邦IGBT模块
GT100TL120T2SH    IGBT模块拓扑图
GT100TD120T2VH    红邦IGBT模块
GU50HH120A1HD    德国进口英飞凌
GT100SG120B5H    高频感应加热IGBT
GT100SD120B5H    大功率电磁炉模块
GT100PI120T6H-T4    正规IGBT模块代理
GT100PI120T6H    IGBT模块厂家
GT100HF120T2VH    ***IGBT模块
GT100HF120T1VH    苹果7IGBT模块
GT100HF120A5H    iPhone7半导体模块
GT100FF120T6H    快速低损耗IGBT模块
GT100FF120A8H    IGBT模块拓扑图
GT100CU120T1VH    红邦IGBT模块
GT100CU120B5H    德国进口英飞凌
GT100CL120T1VH    现货供应
GT100CE120T2VH    （印字）整流桥
GT100CE120T1VH    进口芯片AN二极管
GL800SD170T3H     互联网+IGBT模块
GL75HF170T1VH    变频器IGBT模块
GL75HF120T1VH    电焊机逆变模块
GL75FF170T6H    功率模块
GL600SD170T3H    半导体模块
GL50HF170T1VH    MACMIC
GL50HF120T1VH     互联网+红邦
GL50FF170T6H    绝缘栅型场效应管
GL450HF170T9H    （印字）整流桥
GL400SD120T2ZH    进口芯片AN二极管
GL3600SD170T4H     互联网+IGBT模块
GL300SD120T2ZH    变频器IGBT模块
GL300HF170T9H    电焊机逆变模块
GL300HF170T2VH    功率模块
GL300HF120T2VH    半导体模块
GL2400SD170T4H    MACMIC
GL225HF170T9H     互联网+红邦
GL200SD170T2ZH    绝缘栅型场效应管
GL200HF170T2VH    双极型三极管
GL200HF120T2VH    IGBT模块工作原理
GL1800SD170T4H    驱动电路模块
GL150HF170T2VH    电磁炉IGBT模块
GL150HF120T2VH    无功补偿器IGBT模块
GL1200SD170T3H    氩弧焊IGBT模块
大功率IGBT技术现状及其发展趋势
 
摘要：本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发，系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点，从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术，并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。
　　关键词：绝缘栅双极晶体管;芯片;模块;结构;封装技术;
　　1 引言
　　绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有MOS输入、双极输出功能。IGBT集Bipolar器件通态压降小、载流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身。作为电力电子变换器的核心器件，为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础[1]。
　　自IGBT商业化应用以来，作为新型功率半导体器件的主型器件，IGBT在1—100kHz的频率应用范围内占据重要地位，其电压范围为600V—6500V，电流范围为1A—3600A(140mm x 190mm模块)。IGBT广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、******等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术，因此被称为功率变流产品的“CPU”、“绿色经济之核”。在未来很长一段时间内，为适应全球降低CO2排放的战略需要，IGBT必将扮演更为重要的角色，是节能技术和低碳经济的重要支点。