·Features

1)Maximum optical power output :80 mW(cw)

2)High power (pulse MAX  160mW)

3)Wavelength ：TYP=658nm

4)High coupling efficiency,The ellipticity (Θ丄/Θ〢)is close to 1.8.

5)5.6mm package.TO-18

·Absolute Maximum Ratings 

    Parameter/Symbol -------Rating/Unit

1）Light output power/cw-----80mw

2）Light output power/pulse--160mw

3）Reverse voltage/VRL-------  2V

4）Case temperature/Tc------- -10~+75℃

5）Storage temperature/Tstg-- -40~+100℃

·Electrical/optical Characteristics(Tc=25℃)

  Parameter/Symbol-Testconditions--Min/Typ/Max-Unit

1)Threshold current/ith-----cw--------_-_/65_/_-_-mA

2)Operating current/iop-cw,po=80mw--_-_/150/_-_-mA

3)Operating voltage/vop-cw,po=80mw--_-_/2.5/3.0-V

4)Slope efficiency/--h--cw,po=80mw--_-_/0.95/_-_-mw/mA

5)Peak wavelength/--λp--cw,po=80mw--654/658/662-nm

6)Beam divergence angle-cw,po=80mw--7__/9.5/12_-(parallel/Θ丄)

7)Beam divergence angle-cw,po=80mw--14_/17_/20_-(perpendicular/Θ〢)

半导体激光二极管LD在工作中易退化的四大原因

半导体激光二极管LD本身比较娇嫩，从它刚出现就面临着使用寿命的问题，经过不断的研究改进，目前激光二极管LD的寿命可达1万小时，以能够满足光纤通信使用的需要。激光二极管LD在工作中易退化的原因主要有以下几个方面：
1，半导体激光二极管LD的管芯极小，工作电流密度和光功率密度很高，而作为激光物质的半导体单晶材料又较容易发生缺陷，这些缺陷在电和光的作用下逐渐发展，从而引起器件性能的退化。
2，半导体激光二极管LD的镜面是用解理工艺形成的，镜面本身受到环境条件影响而污染也会也会导致激光二极管LD性能退化。
3，激光二极管LD的管芯焊接也是关键技术，管芯焊在热沉之上，而有源去距离热沉只有几微米；半导体激光二极管LD工作会发热，如果焊料太多，受热时会发生缓慢的攀移，使半导体激光二极管LD发生短路，导致激光二极管LD退化。
4，随着工作时间的延长，激光二极管LD的阈值电流会缓慢增加，从而导致激光二极管LD退化。