明佳达电子供应原装 STD7NM60N 场效应管 TO-252，量大***，有接受价欢迎找客服详谈，价格方面请以当天咨询为准。

STD7NM60N 场效应管

规格信息

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc）

驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：900 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）：4V @ 250?A

Vgs（值）：±25V

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：600 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：14 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：363 pF @ 50 V

功率耗散（值）：45W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63