| 品牌:WILLSEMI上海韦尔 | 型号:WNM4002-3/TR | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:UNI/一般用途 |
| 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:N-FET硅N沟道 |
WNM4002 WNM4002-3/TR WILLSEMI上海韦尔 MOS管 丝印N3*
WNM4002 WNM4002-3/TR Small Signal N-Channel, 20V, 0.3A, MOSFET
WNM4002 WNM4002-3/TR 小信号N沟道,20V,0.3A,MOS管
WNM4002参数
型号:WNM4002 WNM4002-3/TR
厂商:WILLSEMI上海韦尔
封装:SOD523
包装:3000PCS/包
批次:15+
类型:MOS管
描述:小信号N沟道,20V,0.3A,MOS管
丝印(打字):N3*
备注:WILLSEMI上海韦尔原厂原装
替代:
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WNM4002图片
WNM4002丝印封装
WNM4002说明
WNM4002是N沟道增强MOS场效应晶体管,采用***的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)配低栅极电荷。
WNM4002此装置适用于在使用中小信号开关。
WNM4002是无铅的。
WNM4002产品特点
N沟道
超高密度细胞设计极低RDS
优异的导通电阻和DC电流能力
SOT-523小包装设计
WNM4002应用
驱动:继电器,螺线管,照明灯,锤子
电源转换器电路
负载/电源开关便携式设备
WNM4002额定值
(TA =25℃,除非另有说明)
WNM4002订购信息
广州市安畅电子有限公司
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德州仪器(Texas Instruments),简称TI,Texas Instruments公司设计和制造模拟技术、数字信号处理 (DSP)和微控制器(MCU)半导体。TI是模拟和数字嵌入式及应用处理半导体解决方案的***。作为一家全球半导体公司,TI在30多个国家通过设计、销售和制造领域的运营,开展创新。工程开发工具帮助设计工程师评估、创建或调试基于半导体设备的设计。 开发工有多种形式,包括启动装置套件、评估板、调试程序或全套的开发环境在 TI 发展之初,公司的目标是利用公司***的技术能力从根本上颠覆传统市场,创造全新的市场。我们的发展历程中始终贯穿一条清晰的主线,就是运用越来越***的实时信号处理技术,实现从量变到质变的进步,真真切切地不断改变世界。
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恩智浦半导体(NXP)以其***的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长,提供高性能混合信号(High Performance Mixed Signal)和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。
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安森美半导体(ON Semiconductor)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界***、增值型供应链和网络。
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* 电池充电器和保护装置。
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