目前850nm发射管晶片主要由日本、台湾、韩国、德国、大陆企业提供，而台湾大陆企业的晶片，其外延片主要来自于日本和韩国，功率、光衰的是日本制造的，台湾鼎元的外延片来自于日本，其提供的晶片在该行业的***也较好。目前,日本晶片厂除对外提供外延之外，其已开始自己切割，这必将对台湾和大陆的晶片厂造成压力。

三、常用的850nm发射管的封装细则

目前在珠三角地区，做850nm发射管封装的公司很多，但是其懂得封装的细节，懂得封装细节对发射管影响的公司很少;要封装出品质好的IR发射管，经我们选择的多家，有很多在产品生产工艺流程上把握不好，其实，在生产要要注意很多的细节的，首先要选好材料，主要材料是晶片、银浆、胶水、支架等；晶片的选择决定其功率、光衰，目前用日本和台湾的晶片；银浆的选择对其死灯现象影响较大，目前的银浆来自日本和英国；胶水决定其耐热性能，目前的胶水是台湾原厂的，其应力好，耐高温，封出的IR发射管表面偏雾和略偏黄，有的公司使用的胶水很透明有些偏兰的感觉，这种胶水用于一般的LED还可以，但不适合封装IR发射管，其不耐高温、进行波峰焊（浸焊）易死灯。我们红外灯摄像机生产厂家，要有对客户负责任的态度，选择一间比较可靠，认真生产的红外灯供应商；这有助于企业的长久发展与客户的长期增长；

 四、 850发射管的选择准则：
 
    我们现在一般的一体机设计距离较近，一般适用较大角度的IR发射管，市场上最通用45、60度角，可选择一般晶片，还是选择日本和台湾的，市场上用12Pcs、14Pcs、18Pcs、24Pcs发射管的一体机，常用此类产品一般开发距离在5-20米，若开发20米以上的一体机，必需建议使用日本和台湾晶片，如28Pcs、36Pcs、48Pcs、64Pcs等产品，同时需选用较小角度的效果会更好。
针对红外灯特别是远距离的，必须用日本和台湾的晶片，并且建议用小角度的封装较大的，比如∮8、∮10的等，其相比∮5散热好，更聚光，也可以大小角度搭配，但建议两种角度相差不要超过10度，目前市场上30米、50米、80米、100米、150米、200米的红外灯卖，生产不同距离的红外灯时，需注意选择适当角度，并且使用数量也要达到一定程度。
 红外灯角度越大，其的发射距离有红外效果是会有所折扣的，这也是一些红外选择的无奈；大功率的红外灯，固然红外效果要好一点，但发热及寿命因素影响，还有市场价格因素的制约，想大规摸用在目前红外市场还是有一定的难度；

五、追求红外效果与红外稳定、价格因素的选择；

红外灯的选择，要本着稳定及成本的考虑，并不是一定谁的红外眼前效果好，我们就采用哪一家，
    1． 普通850nm发射管一般用50mA设计 (一体机的电流可设计为40mA左右)。电压1.5-1.6v，深圳较多公司用60mA、80mA，甚少用100mA；这是不可取的，其将产生较大的热量、光衰加快，产品寿命短，产品质量不稳定，目前市场上有350mA、700mA的红外发射管，其实建议使用350mA时按1.8v、300mA-320mA设计，并且需要加强散热设计，高于700mA 发射管我们海盟一般不用用，因其成本太高，散热问题难处理，光衰较快, 产品质量不稳定。
    2． 红外产品改进时，还需要注意搭配角度、数量等，市场上许多人常问红外发射管能达到多少米，其实能达到多少米是一个系统的问题，不能单说发射管能达到多少米，其还受灯组大小，电路，摄像机，镜头等的影响。
3． 使用850nm发射管时，需要注意防静电，使用烙铁不能超过30W，时间不能超过三秒，浸焊时温度不能超过260度，时间也不能超过三秒

红外一体化像机是新兴的产品，其由于夜视***制的特点受到普遍的欢迎；但一开始就低价位的竞争，限制了红外摄像机更好技术的应用与发展；一个不争的事实是，现在很多红外摄像机生产商，不加用心，只是在市场上随便采购半成品，不加实验，粗糙地拼头面人凑在一起，以低价位冲击市场，导致了一大部分用心做事，专注红外发展的厂家的市场行为受损，发展高端产品的积极性不高