| 品牌:everspin | 型号:MR4A16BCMA35 | 类型:存储器 |
| 存储容量:1,048,576-bit | 针脚数:48/44pin | 用途:*** |
| 封装:TSOP II | 系列:MR4A16BCMA35 | 功率:低功耗 |
| 批号:2018+ | 特色服务:库存现货 | 产品说明:卷装或盘装 |
| 包装:真空包装 | 应用领域:***/航天 | 低功耗SRAM:mram芯片存储器 |
| 存储器芯片:半导体存储器 | 内存芯片存储器:mram |
汽车电子MR4A16BCMA35可替换FRAM(Ferromagnetic Random AccessMemory),铁电随机存取存储器。FRAM由麻省理工学院***提出,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。FRAM存储器的优点是可在失去电力的情况下,资料毫不受损,且写入速度极快,重复写入的次数高,几乎是***次数,可大量取代EEPROM应用;其缺点为FRAM存储器的价格仍是大幅高于EEPROM约2~3倍之多。
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