产品信息

• 用途：在光电子工业领域应用层面，砷化镓单晶可被用于制作LD（激光器）、LED（发光二极管）、光电集成电路（OEIC）、光伏器件等；在微电子工业领域应用层面，可被用于制作MESFET（金属半导体场效应管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、HBT（异质结双极晶体管）、IC、微波二极管、Hall器件等。主要涉及高端军事电子应用、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。作为重要的半导体材料，GaAs的电子迁移率为硅和氮化镓的5倍，用于中小功率微波器件具有***的功率损耗，因此在手机通讯、局域无线网、GPS和汽车雷达等领域中占主导地位。

我公司备有多种尺寸1-6英寸，P型N型导电类型和非掺的砷化镓衬底现货。我司的砷化镓衬底片超低位错密度，超高迁移率。单片无尘锡箔包装。提供北京增值税发票。