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JEDEC标准

DDR2速度等级:667 mbps

Unbuffered DIMM:240 -pin

内存组织:×8 FBGA DRAM芯片

DDR2接口:SSTL_18

CAS延迟:5-5-5

带宽:5300 mb / s

VDD电压:1.8 + -0.1 v

VDDQ电压:1.8 + -0.1 v

标准OP温度:0℃~ + 85℃

连环与eepm存在检测

PCB高度:0.72英寸

通过无铅认证

桌面应用程序

简介

DDR2是***的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的容量可达到4 G，可***提升内存模组的容量。

此为DDR2-667 CL5 Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到2GB，由64/128MX8位FBGA封装的DDR2-667同步DRAM组成，用于安装在240脚侧边卡连接器插槽中。

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