钨靶 钨圆靶 钨方靶

含量；≥99.95％
执行标准：GB/T3875-03
公差：厚度公差≥±0.05
晶粒度：200-300目
适用环境及适用温度：真空或者惰性气体保护环境下，2300℃以内.
表面分类：1）热轧碱洗  2）磨光面
规格： 箔材：厚度0.085-0.1mm，宽度30-100mm，长度＜200mm
       片材：厚度0.1-0.5mm，宽度50-200，长度300mm
       板材：厚度0.5-10mm，宽度50-450mm，长度大于500mm
       块靶：厚度50-300mm，宽度50-300mm，长度大于50mm
       工艺：热轧开坯--中间退火--碱洗--剪切--成品退火而成
用途：高纯钨靶和高纯钨钛合金靶、钨硅复合靶材通常被施以磁控溅射的方式制作各种复杂和高性能的薄膜材料。由于高纯钨或超纯钨（5 N或6 N）具有对电子迁移的高电阻、高温稳定性以及能形成稳定的硅化物，在电子工业中常以薄膜形式用作栅极、连接、过渡和障碍金属。超高纯钨及其硅化物还用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。钨钛合金溅射靶材常用于制作薄膜系太阳能电池的过渡金属层。我公司供应镀膜用纯钨靶材适用于多弧离子镀 溅射镀 蒸发镀等。

买家需知: 

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