S9000系列 (NEW !)             S9000X Xe Plasma FIB-SEM

轻松实现超快速样品制备和高分辨表征

当今半导体器件的物理故障分析已经成为一项***复杂的任务，需要处理越来越小的具有更高密度和更高功能的器件。一般来说，随着新纳米技术和纳米材料的发展以及集成电路的设计和体系结构的日益复杂，这就需要高度可靠的分析平台，以跟上集成电路、光电器件的发展。TESCAN S9000X 是一个强大的采用氙等离子源的 FIB-SEM 平台，专门设计来应对这样的挑战。

S9000X Xe Plasma FIB-SEM

TESCAN S9000X是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束FIB-SEM系统，配置新颖的TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及***的iFIB+TM离子镜筒，它的超高分辨表征能力和***的样品制备效率，足以应对半导体和材料表征中***挑战性的物理失效分析工作，实现大体积三维样品特性分析。

TESCAN S9000X 是半导体和材料表征中***挑战性的物理失效分析应用的平台，具有极高的精度和极高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析***条件。同时，它还提供***的 FIB 功能，可实现***、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 


S9000X Xe Plasma FIB-SEM主要优势：

? 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；

? *** Triglav? UHR SEM 镜筒具有***的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有***的性能；

? 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；

? 新型 iFIB+? Xe 等离子 FIB 镜筒具有***的视野，可实现***面积的截面加工；

? *** SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；

? 的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；

? 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；

? *** FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并限度地减少维护成本；

? 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；

? 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现的吞吐量和易用性。

概述：

突出特点

? 极高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务

新型 iFIB+? Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。

? 新型 iFIB+? Xe 等离子 FIB 镜筒具有***的视野，可实现***面积的截面加工

新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中的视场（FoV）。 在30 keV 下视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的解决方案。

? 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围

新型 iFIB+? Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。

? 充分利用电子和离子束功能，实现应用化

快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是***的。新的 OptiGIS? 具有所有这些品质，S9000X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。

? 轻松实现 FIB ***调节，并*** FIB 性能

新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和***的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。