Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator  150

Centrotherm 高温退火炉系统-Activator 150

一、产品简介

Centrotherm Activator 150 高温炉设计用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm独特工艺炉管和加热系统设，允许工艺温度达到 1850 ℃。

此外，Activator 150 系列的产品可以实现生长石墨烯生长。通过碳化硅升华生长石墨层可以获得高性能器件。

Centrotherm ***SiC工艺炉管的研发用以满足新兴的150 毫米 SiC工艺。

Centrotherm Activator 150-5 是为研发工作而***的，而Centrotherm Activator 150-50专为大批量生产设计。

广泛的工艺范围实现了对自定义化程序的优化, 例如温度, 气路系统和压力。

二、典型应用

SiC器件高温退火 （注入后）

GaN器件退火

大面积石墨烯生长

SiC表面制备

三、产品特性

性能和优势

高活化效率

最小表面粗糙度

温度可达 1850 ℃

占地面积小 [1.8m²]

升温速率可达 100 K/min

批处理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″

批处理数量达到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片

真空度小于10^-3 mbar （可选）

可并排安装

选项

上下料腔室微环境控制

自动机械手装片

测温热偶

尺寸

Centrotherm 高温氧化系统-Oxidator 150

一、产品简介

德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm Oxidator 150 经过专业的研发, 能够满足 SiC 圆片的高温氧化工艺; 同时亦可用于常规的硅圆片的氧化。Centrotherm Oxidator 150 ***的反应腔具有性能高、占地小和生产成本低等特点，为客户提供的工艺灵活度, 同时能够***有毒气体的安全使用。

设备特点：

炉管和加热器均处于真空密闭反应腔内，上下料腔室可用Ar或 N2 进行吹扫，可以***有毒气体（如 NO、N2O、H2、NO2 等） 的安全使用。

  氧化工艺使用 N2O 气氛，可以改善 SiO2/SiC 接触表面以获得更高的通道迁移率，同时可提高SiC表面氧化物的稳定性和寿命。

  提供带有氢氧合成系统的湿氧工艺。

高达 1350 ℃ 的温度和其他支持功能为 SiC 氧化工艺和低界面陷阱密度, 高通道移动率的氧化层研制提供可能。

二、适用工艺

高温SiC或Si氧化

氧化后退火（氢气环境）

三、产品特性

性能

圆片尺寸： 2″、3″、4″、6″

工艺温度： 900 ℃ ~ 1350 ℃

真空度：  小于10^-3 mbar

占地面积小： 1.8m² 

真空密封反应腔

可以并排安装

选项

氢氧合成用于湿氧

机械手装片

测温热偶

尺寸

四、设备参数