英飞凌晶闸管/英飞凌模块FZ1600R17HP4_B2原装-北京中兴博瑞
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英飞凌模块/FZ1600R17HP4_B2
可控硅工作原理解析：可控硅有三个极----阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
英飞凌IGBT模块型号：

FF75R12YT3 FF100R12KS4 FF100R12YT3
FF150R12KE3G FF150R12KS4 FF150R12KT3G
FF150R12ME3G FF150R12YT3 FF200R12KE3
FF200R12KS4 FF200R12KT3 FF225R12ME3
FF300R12KE3 FF300R12KS4 FF300R12KT3
FF300R12ME3 FF400R12KF4 FF400R12KL4C
FF450R12ME3 FF600R12KE3 FF600R12KF4
FF600R12KL4C FF800R12KE3 FF800R12KF4
FF800R12KL4C FF1200R12KE3 FF150R12RT4
英飞凌IGBT模块 英飞凌IGBT
FF400R12KE3 FF400R12KT3 FF200R12KT3_E
FF300R12KT3_E FF400R12KT3_E FF225R12ME4
FF300R12ME4 FF450R12ME4 FF600R12IS4F
FF1400R12IP4 FF900R12IP4D FF900R12IP4
FF600R12IP4 FF600R12IE4 FF450R12IE4
FF450R12KE4 FF300R12KE4 FF200R12KE4
FF450R12KT4 FF300R12KT4 FF200R12KT4
FF200R12MT4 FF150R12MT4 FF100R12MT4
FF300R12MS4 FF150R12MS4G FF225R12MS4
DD151N12K DD151N14K DD151N16K
DD151N18K DD151N20K DD151N22K
DD171N12K DD171N14K DD171N16K
DD171N18K DD175N28K DD175N30K
DD175N32K DD175N34K　DD231N20K
DD231N22K DD231N24K DD231N26K
DD260N12K DD260N14K　DD260N16K
DD260N18K DD261N22K DD261N24K
DD261N26K DD285N04K DD285N06K
DD285N08K DD350N12K DD350N14K
DD350N16K DD350N18K DD435N28K
DD435N30K DD435N32K DD435N34K
FF300R12KE3 FF400R12KE3 FF400R12KT3
FF200R12KT4 FF300R12KT3 FF300R12KT4
BSM300GB120DLC FF300R12KE4 FF450R12KT3
FF450R12KT4 FF200R12KT3 FZ400R12KS4
FZ600R12KS4 FZ900R12KE4 FF300R12KS4
FZ1200R12KF4 FF400R33KF2C FZ1800R16KF4
FZ1200R12KF5 FF200R33KF2C FZ1200R33KF2C