| 品牌:SEMIKRON | 型号:SKKT253/16E | 封装:模块 |
| 批号:18+,19+,20+ | 系列:西门康可控硅 | 断态电压:按型号区分 |
| 栅极触发电压(Vgt):按型号区分 | 栅极触发电流(Igt):按型号区分 | 保持电流最大值(Ih):按型号区分 |
| 正向重复电压(Vdrm):按型号区分 | 反向重复电压(Vrrm):按型号区分V | 通态电流最大值(It(RMS)):按型号区分 |
| 不重复浪涌电流(Itsm):按型号区分 | 工作温度范围:按型号区分 | 安装类型:按型号区分 |
| 应用领域:***/航天、 汽车电子、 安防设备、 医疗电子、 新能源 |
北京中兴博瑞科技有限公司经营范围:
英飞凌IGBT模块,三菱IGBT模块,西门康IGBT模块,西门康IPM智能模块,富士IGBT模块,DYNEX丹尼克斯IGBT模块,可控硅晶闸管模块,FERRAZ罗兰熔断器,BUSSMANN巴斯曼熔断器,SIBA西霸熔断器,WESTCODE西玛熔断器,HINODE日之出熔断器,CONCEPT驱动板,ABB变频器配件,ABB驱动板,ABB可控硅,ABB平板硅,西玛二极管,西玛可控硅等等。

西门康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
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西门康semikron可控硅 西门康SEMIKRON晶闸管
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SKT340/12E SKT340/14E SKT340/16E SKT340/18E SKT491/04E SKT491/06E
SKT491/08E SKT491/10ESKT491/12E SKT491/14E SKT491/16E SKT491/18E
SKT551/08E SKT551/10E SKT551/12E SKT551/14ESKT551/16E SKT551/18E
SKT600/08E SKT552/16E SKT600/10E SKT600/12E SKT600/14E SKT600/16E
SKT600/18E SKT760/04E SKT760/06E SKT760/08E SKT760/10E SKT760/12E
SKT760/14E SKT760/16E SKT760/18E SKT1000/12E SKT1202/20E SKT2500/16E
SKT1000/16E SKT1000/18E SKT1000/20ESKT1000/22E SKT1000/24E
SKT1000/26E SKT1000/28E SKT1200/12E SKT1200/14E SKT1200/16E
SKT1200/18E SKT1400/26E SKT1400/28E SKT1400/30E SKT1400/32E
SKT1400/34E SKT1400/36ESKT1800/12E SKT1800/14E SKT1800/16E
SKT2000/22E SKT2000/24E SKT2000/26E SKT2000/28E SKT2400/12E
SKT2400/14E SKT2400/16E SKT2400/18E SKT1000/12E SKT1000/14E
赛米控模块赛米控晶闸管SKET330/20E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
西门康semikron可控硅SKKT162/16E SKKT250/16E SKKT430/16E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SEMIKRON semikron可控硅SKKT430/16E SKKT430/18ESKKT430/20E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
SKKT330/16E SKKT330/18E SKKT430/16E SKKT430/18E SKKT57/16E
门极可关断晶闸管(GTO):1.GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)是门极可关断晶闸管的简称,他是晶闸管的一个衍生器件。但可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断,他是全控型器件。2.GTO和普通晶闸管一样,是PNPN四层半导体结构,外部也是引出阳极.阴极和门极。但和普通晶闸管不同的是,GTO是一种多元的功率集成器件。虽然外部同样引出三个极,但内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元,这些GTO单元的阴极和门极在器件内部并联,他是为了实现门极控制关断而设计的。
| 企业类型 | 有限责任公司(自然人独资) | 注册资本 | 50.00万人民币 |
| 公司注册地址 | 北京市海淀区上地十街1号院4号楼5层509 | 统一社会信用代码 | 91110108MA009NEWX5 |
| 登记机关 | 北京市海淀区市场监督管理局 | 法定代表人 | 李雪梅 |
| 公司成立日期 | 2016-11-22 | 营业期限 | 2016-11-22 至 2036-11-21 |
| 经营范围 | 技术开发、技术推广、技术服务、技术转让、技术咨询;销售机械设备、五金交电(不得从事实体店铺经营)、电子产品、计算机软、硬件及外围设备、金属材料。(市场主体依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。) | ||


