1MBI1600U4C-120igbt单管可控硅斩波分立式半导体富士欢迎选购价格

产品特性：IGBT	品牌：富士	型号：1MBI1600U4C-120
封装：标准封装	批号：22+	IGBT类型：IGBT模块
配置类型：标准配置	集射极击穿电压(VCEO)：1700V	最大集电极电流(Icm)：电询
集电极截止电流：电询	最大耗散功率：电询mW	工作温度范围：-40°至150°
安装类型：螺口螺纹	应用领域：电工电气

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1MBI1600U4C-120igbt单管可控硅斩波分立式半导体富士欢迎选购

苏州新杰邦电子技术有限公司：

代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的***精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的诚信代理商和经销商。通过多年的实战经验，公司积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供***解决方案，为客户提供技术支持！代理品牌：

1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；

2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；

3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板；

4、巴斯曼（BUSSMANN)，西门子，日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等；

愿为广大客户提供优良的产品、满意的服务。

品种齐全、价格优惠、欢迎咨询！

1MBI1600U4C-120igbt单管可控硅斩波分立式半导体富士欢迎选购

产品型号	1MBI1600U4C-120
制造商编号	1MBI1600U4C-120
描述	IGBT Modules 1200V 600A 3-PHASE
产品种类	IGBT 模块
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Hex
集电极—发射极电压 VCEO	1200V
集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	600A
品牌	富士
功率耗散	110 W
工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	EconoPACK 2
栅极/发射极电压	+/- 20 V
最小工作温度	- 40 C
安装风格	Screw

供应商信息

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苏州新杰邦电子技术有限公司销售功率半导体产品及配套器件、是功率半导体行业企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的***精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业品牌形象，同时硅晶与多家电力电子行业企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多国外品牌：、西门康、三菱、富士，IXYS、三社，熔断器。SANREX、ABB、WESTCODE等其他产品的诚信代理商和分销商。通过多年的实战经验，硅晶、人积累了坚实专业的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、变频器、高频感应加热、逆变电源、电力机车等行业提供完善专业的解决方案，为客户提供全方位的技术支持！

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企业类型	有限责任公司(自然人独资)	注册资本	100.00万人民币
公司注册地址	昆山开发区前进东路579号1614室	统一社会信用代码	91320583MA1X17XL58
登记机关	昆山市行政审批局	法定代表人	李锦花
公司成立日期	2018-08-09	营业期限	2018-08-09 至 2068-08-08
经营范围	电子技术领域内的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；电子产品、电子零配件、仪器仪表、集成电路板、五金交电、五金配件、气动元件、液压元件、气动工具、金属材料、电子材料、金属制品的销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）

联系方式

李女士

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