说明

   美光并行或或闪存是最***的闪存设备。优点包括在更小的空间中增加密度，高速接口设备，以及支持代码和数据存储。这些功能包括高性能的同步-突发读取模式、快速的异步访问时间、低功耗、灵活的安全选项，以及三种行业标准的软件包选择。该产品系列采用微米65nm工艺技术制造。

   NOR闪存设备在16位数据总线上提供了在低电压下的高性能。每个可擦除的内存块的大小都是为了获得的代码和数据存储。

   在初始通电或从复位返回时，设备默认为异步分码读取。配置读取配置寄存器可启用同步突发模式读取。在同步突发模式下，输出数据与用户提供的时钟信号同步。一个等待信号提供了简单的cpu到闪存的内存同步。

   除了增强的架构和接口外，该设备还集成了能够实现快速的工厂程序和擦除操作的技术。为低压系统设计，devIce支持低电压VCC的READ操作，在低电压或VPPH的VPP擦除和编程操作。缓冲增强工厂编程(BEFP)通过VPPH提供了最快的Flash阵列编程性能，这增加了工厂吞吐量。由于VPP在低电压下，VCC和VPP可以捆绑在一起，形成一个简单的***功耗设计。除了电压灵活性外，专用VPP连接在VPP≤VPPLK时提供完整的数据保护。

   命令用户界面是系统处理器和设备的所有内部操作之间的接口。该设备自动执行块擦除和程序所需的算法和计时。状态寄存器指示擦除或程序完成以及可能发生的任何错误。

   一个行业标准的命令序列可以调用程序并擦除自动化。每个擦除操作都会擦除一个块。擦除挂起功能允许系统软件暂停一个擦除周期，以读取或编程另一个块中的数据。程序暂停使系统软件能够暂停编程以读取其他位置。数据以字增量（16位）进行编程。

   保护寄存器支持的设备识别，可以用来提高系统的安全性。单独的块锁定功能提供了零延迟的块锁定和解锁。该设备包括通过密码访问增强的保护；此新功能支持用户定义块的写和/或读访问保护。此外，该设备还提供了全设备的OTP安全功能。

虚拟芯片启用说明

    512Mb的设备采用了一个虚拟芯片启用功能，它结合了两个256Mb的芯片和一个公共芯片启用功能，F1-CE#用于QUAD+包，或CE#用于EasyBGA包。然后，使用地址位来选择在断言为F1-CE#/CE#的模具对之间，这取决于所使用的软件包选项。当确定F1-CE#/CE#且地址位为LOW时，选择下参数模；当确定F1-CE#/CE#且地址位为HIGH时，选择上参数模。

特征

?高性能

–100ns初始访问，便于BGA

-TSOP的初始访问时间为110ns

–25ns 16字非同步页面读取模式

–52 MHz（简易BGA），零等待状态和

17ns时钟到数据输出同步突发

读取模式

–4-、8-、16-和连续单词选项，用于突发

模式

–缓冲增强型工厂编程（BEFP）

使用512字缓冲区时的速度为2 MB/s（典型值）

–1.14 MB/s的1.8V缓冲编程（典型）

使用512字缓冲区

?建筑

–MLC：以***成本获得密度

–不对称封闭式建筑

–四个32KB参数块：顶部或底部配置

–128KB主块

–空白检查以验证已擦除的块

?电压和功率

–VCC（核心）电压：1.7V至2.0V

–VCCQ（I/O）电压：1.7V至3.6V

–静态电流：256Mb时为65?A（典型值）

–52 MHz连续同步读取电流：

21mA（典型值），24mA（值）

?安全

–一次性可编程寄存器：64个OTP位，

用密克罗恩的独特信息编程；2112个OTP位可用于客户专业编程

–写保护：VPP=VSS

–电源转换擦除/程序锁定

–单个零延迟块锁定

-单独封锁

–密码访问

?软件

–25μs（典型值）程序暂停

–25微秒（典型值）

–闪存数据积分器优化

–基本命令集和扩展功能界面（EFI）命令集兼容

–通用闪存接口

?密度和包装

–56芯TSOP封装（仅256Mb）

–64球简易BGA封装（256Mb、512Mb）

–QUAD+和SCSP软件包（256Mb、512Mb）

–16位宽数据总线

?质量和可靠性

–符合JESD47标准

–工作温度：–40°C至+85°C

–每个数据块至少100000次擦除周期

–65nm工艺技术