产品特性:反应离子 | 品牌:那诺-马斯特 | 规格:26“D x 44“W |
类型:反应离子刻蚀 | 型号:NRE-4000(A) | 产地:美国 |
NRE-4000(A)全自动反应离子刻蚀概述:
NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12”的晶圆片。腔体为超净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。
该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制,该系统具有高度的可重复性。
NRE-4000(A)全自动反应离子刻蚀产品特点:
铝质腔体或不锈钢腔体
不锈钢立柜
能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属
典型的硅刻蚀速率,400 ?/min
高达12”的阳极氧化铝RF样品台
水冷及加热的RF样品台
大自偏压
淋浴头气流分布
极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别
涡轮分子泵
至多支持8个MFC
无绕曲气体管路
自动下游压力控制
双刻蚀能力支持:RIE以及PE刻蚀(可选)
终点监测
气动升降顶盖
自动上下载片
预真空锁
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动,4级密码访问保护
完全的安全联锁
可选ICP离子源以及低温冷却样品台,用于深硅刻蚀
Features:
Aluminum or Stainless Steel Chamber
Stainless Steel Cabinet
Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals
Typical Si etch rate, 400 ?/min
Up to 12“ Anodized RF Platen
Water Cooled and Heated RF Platen
Large Self Bias
Shower Head gas distribution
Approximay 10-6 Torr<20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure
Turbomolecular Pump
Up to eight MFCs
No flexing of gas lines
Down Stream Pressure Control
Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)
End Point Detection
Pneumatically Lifted Top
Automatic loading/unloading
Load Lock
PC Controlled with LabVIEW
Recipe Driven, Password Protected
ully Safety Interlocked
Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch
上海耀他科技有限公司是一家高新科技公司,专注于为半导体行业提供全套的解决方案,主要服务大中华区(包含中国大陆,香港,台湾和澳门)的客户,包含高校、科研院所、企业研发及工业客户,为客户提供国外高端的半导体工艺设备、检测设备、封装设备、测试设备等。 主要产品包括薄膜沉积设备、薄膜生长设备、干法刻蚀设备、兆声湿法清洗设备、表面分析仪器、力学表征仪器、电学表征仪器等。 应用领域涵盖了半导体、MEMS、光电子学、纳米技术和光伏等。我们的设备包含用于二氧化硅、氮化硅、类金刚石和CNT沉积的PECVD,用于InGaN、AlGaN生长的PA-MOCVD,溅射镀膜(反应溅、共溅 、组合溅),热蒸发和电子束蒸发,离子束刻蚀和反应离子刻蚀,原子层沉积,兆声清洗以及光刻胶剥离等。 我们聘用技术熟练并具有良好教育背景的设计和制造工程师、应用工程师、服务工程师、技术支持人员,使得公司拥有***的服务团队。作为薄膜工艺的设备提供商,我们的目标是提供高品质的服务并始终维持水平的集成度。
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