铟锭lndium Ingot

规格ln-4N5 ( 99.995%)

杂质总含量b0ppt

性状:

银白色锭状，质软，可塑性强，延展性好;每锭净重约250g、500g、1000g等，可根据客户要求定制。包装:每锭用塑料袋真空封装后再胶合板箱包装，每箱净重20公斤或25公斤。

用途:主要用于制备Ⅲ-V族化合物半导体、焊料合金、高纯合金及ITO粉末等。

高纯铟High Purity Indium

规格l n-5N ln-6N ln-7N

( 99.9***) ( 99.99*** ( 99.999***)

杂质总含量≤10ppm ≤1ppm ≤0.1ppm

性状:

银白色锭状，具有较好的光渗透性和导电性;每锭净重约250g、500g、1000g等，可根据客户要求定制。包装:每锭用塑料袋真空封装后再用铝箔袋真空封装;外用胶合板箱包装。

用途:主要用于制备太阳能电池、III-V族化合物半导体、高纯合金等。

超纯铟（MBE分子束外延)Super High Purity Indium (MBE

规格 ln-7N及以上( 99.999***min )

杂质总含量 ≤0.1ppm

性状:

颗粒状、粉状、锭状、棒状、丝状等,重量、规格、尺寸可根据客户要求定制。包装:塑料袋真空封装。

用途:主要用于制备MBE级材料、III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、太阳能电池等。

铟丝Indium.Wire

规格 ln-4N5 ( 99.9954

杂质总含量 ≤50ppm

性状:

银白色丝状，质软，直径1.0mm、1.5mm、2.0mm、3.0mm等，可根据客户要求定制。包装:250克/卷，真空包装。

用途:主要用于低温焊料、ITO靶材、低熔点合金，以及轴承合金、电池等领域。

铟珠Indium Granule

规格 ln-4N5 ( 99.995%) ln-5N (99.9***)

杂质总含量 ≤50ppm ≤10ppm

性状:银白色珠状，质软，直径1~6mm。

包装:200克/袋、1000克/袋;塑料袋真空封装。

用途:主要用于蒸镀材料、密封材料等领域。

铟片Indium Sheet

规格 ln-4N5 ( 99.995%) ln-5N ( 99.9***)

杂质总含量≤50ppm 10ppm

性状:银白色片状，质软;2-5克/片，可根据田户再求恐w总含量

包装:400克/袋，塑料袋真空封装。

铟环lndium Ring

规格 In-4N5 ( 99.995% ) ln-5N ( 99.9***)

杂质总含量 ≤50ppm ≤10ppm

性状:银白色环状，尺寸可根据用户要求定制。

包装:20个/袋，塑料袋真空封装。

用途:主要用于低温焊料，密封材料等领域。

氧化铟lndium Oxide

规格 lnzO;-4N(99.***)lnzO,-5N (99.9***)

杂质总含量 ≤100ppm 10ppm

性状:浅黄色粉末，BET3-11平方米/克，根据用户要求定制。包装:500克~10公斤/袋，塑料袋密封包装或塑料瓶包装。

用途:主要用于ITO靶材、玻璃、电池、化学试剂等领域。

金属镓Gallium Metal

规格 Ga-4N ( 99.***

杂质总含量 ≤100ppm

性状:液态呈银白色，固态呈蓝白色;低熔点29.8℃，高沸点2403℃。

包装:聚乙烯塑料瓶包装，再用聚乙烯塑料袋真空封装;1Kg/瓶，10Kg或20Kg/纸箱。用途:主要用于磁性材料、低熔点合金、化合物半导体等领域。

高纯镓High Purity Gallium

规格 Ga-5N Ga-6N Ga-7N

( 99.9***) ( 99.99***) ( 99.999***)

杂质总含量 ≤10ppm ≤1ppm ≤0.1ppm

性状:液态呈银白色，固态呈蓝白色;低熔点29.8℃，高沸点2403℃。

包装:聚乙烯塑料瓶包装，再用聚乙烯塑料袋真空封装;1Kg/瓶，10Kg或20Kg/纸箱。

用途:主要用于制备Ⅲ-V族化合物半导体，氮化镓、砷化镓、磷化镓以及锗、硅单晶掺杂剂，高纯合金、催化剂等。

高纯镓棒High Purity Gallium Ingot

规格 Ga-6N( 99.99***) Ga-7N( 99.999***)

杂质总含量 ≤1ppm ≤0.1ppr

性状:固态呈蓝白色;低熔点29.8℃，高沸点2403℃。

包装:聚乙烯塑料瓶包装，再用聚乙烯塑料袋真空封装;900g/瓶，9Kg/纸箱&1000g/瓶，10Kg/纸箱。

用途:主要用于制备II-V族化合物半导体，氮化镓、砷化镓、磷化镓以及锗、硅单晶掺杂剂，高纯合金、催化剂等。

超纯镓（MBE分子束外延)Super High Purity Gallium (MBE)

规格 Ga-7N Ga-8N及以上

( 99.999***) ( 99.9999***min )

杂质总含量 0.1ppm 0.01ppm

性状:颗粒状、锭状、棒状等，重量、规格、尺寸可根据客户要求定制。包装:塑料袋真空封装。

用途:主要用于制备MBE级材料、III-V族化合物半导体、高纯合金以及锗、硅单晶掺杂剂等。

高纯镓粒High Purity Gallium Pellets

规格 Ga-6N ( 99.99*** ) Ga-7N( 99.999***)

杂质总含量 ≤1ppm ≤0.1ppm

性状:固态呈蓝白色;低熔点29.8℃，高沸点2403℃。

包装:单颗规格可根据用户要求定制，聚乙烯塑料瓶包装，再用聚乙烯塑料袋真空封装;1.5公斤/瓶，12公斤/纸箱。用途:主要用于制备Ⅲ-V族化合物半导体，以及锗、硅单晶掺杂剂，高纯合金等。

氧化镓Gallium Oxide

规格 GazO.-4N Ga,O:-5N GazO:-6N

(99.***) (99.9***) (99.99***)

杂质总含量≤100ppm ≤10pp ≤1ppm

性状:白色粉末状，常规粒度2u m-20 u m。

包装:1公斤，5公斤/袋或20公斤/袋。

铋锭Bismuth Ingot

规格 Bi-4N ( 99.*** )

杂质总含量≤100ppm

性状:银白色带玫瑰色块状金属，有金属光泽，质硬且脆，容易碎。

包装:净重约16Kg/锭，约1000Kg/箱，纤维板箱包装。

用途:主要用于制备化合物半导体、高纯合金、电子致冷元件、医药、化学试剂、核反应堆的冷却剂等。

Properties: Sliver-white with rose gold, hard and brittle, easy to break.

Packing: About 16Kg per ingot and about 1000Kg per fiber board case.

Application: Mainly used for the preparation of compound semiconductor, high purity alloys electronic

refrigerating elements, medication, chemical reagent and nuclear reactor coolant, etc.

铋针Bismuth Needle

规格Bi-4N ( 99.*** )

杂质总含量≤100ppm

性状:银白色针状，性脆，尺寸可根据用户要求定制。

包装: 25公斤/桶，1000公斤/吨袋。

用途:主要用于医药行业、半导体、超导体、阻燃剂、颜料、化妆品、化学试剂、电子陶瓷等领域。

铋珠Bismuth Shot

规格Bi-4N ( 99.*** )

杂质总含量≤100ppm

性状:不规则的银白色珠状，性脆，常规直径2mm- 4mm，尺寸可根据用户要求定制。

包装:5公斤，25公斤1袋或1000公斤1吨袋。

用途:主要用于制备铋的化合物、铋制品、易熔合金、冶金添加剂、半导体、超导材料、核工业材料等。

Properties: Irregular sliver-white bismuth shots are brittle, diameer is from 2mm to 4mm, custom-

made sizes are available upon request.

Packing: 5Kg/bag, 25Kg/bag or 1000Kg/big bag.

Application: Mainly used for the preparation of bismuth compound and its processed products, fusible

alloy, metallurgical aditive, semiconductor, superconductor and materials for nuclear industry, etc.

铋粉Bismuth Powder

规格Bi-4N ( 99.***)

杂质总含量≤100ppm

性状:浅灰色粉末状;常规粒径100目、200目、325目、-200目、-325目。

包装: 1公斤/袋或1公斤/瓶;可根据用户要求定制。

用途:主要用于各种铋合金产品、低温焊料、冶金添加剂、石油勘探等领域。

Properties: Light grey powder, common-used particle sizes are 100mesh, 200mesh, 325mesh,

- 200mesh and - 325mesh.

Packing: 1Kg/bag or 1Kg/bottle, custom-made forms are also available upon request.

Application: Mainly used in various productions of bismuth alloy products, low-temperature solders,

metallurgical additive, oil exploration, etc.

氧化铋.Bismuth Oxide

规格Alpha Bi,O3-4N Beta Bi2O3-4N

(99.***) (99.***)

杂质总含量 ≤100ppm ≤100ppm

性状:亮黄色至橙色粉末状,常规粒度0.5μm-40μm。

包装:纸袋，吨袋或纸桶包装，25Kg/ 纸袋，1000Kg/ 吨袋或25Kg/纸桶。

用途:主要用于化工行业、医药行业、高温超导材料、涂料、催化剂等领域。

Properties: Light yellow to bright yellow powder, common-used particle size is range from 0.5μm to

40μm.

Packing: Packed in paper bags, big bags or paper drums. Normally in 25Kg/paper bag, 25Kg/paper

drum or 1000Kg/big bag.

Application: M ainly used in chemical industry, pharmaceutical industry, high-temperature

superconductor, coating, catalyst, etc.

氢氧化铋Bismuth Hydroxide

规格 Bi (OH)3-3N Bi(OH);-4N

(99.9%) (99.***)

杂质总含量≤1000ppm ≤100ppm

性状:白色粉末。

包装:纸袋或纸桶包装，25Kg/ 纸袋或25Kg/纸桶。

用途:主要用于吸附剂，也可用于制铋盐，是一类新型的无机铋催化剂，适用于阴极电泳漆体系，替代有毒的有机锡

催化剂，制备环保型涂料等。

Properties: White powder.

Packing: Packed in paper bags or paper drums. Normally in 25Kg/paper bag or 25Kg/paper drum.

Application: Mainly used as adsorbent, and also can be used to make bismuth salts. It is a new type

of inorganic bismuth catalyst, which is suitable for cathodic electrophoretic paint system, replacing toxic

organic tin catalyst to prepare environment- -friendly coatings, etc.

碲锭Tellurium Ingot

规格Te-4N ( 99.*** )

杂质总含量≤100ppm

性状:银灰色锭状，约3~5公斤/锭。

包装:塑料袋真空包装。

用途:主要用于制备IIV族化合物半导体、红外探测器材料、碲化镉太阳能电池、碲化铋热电化合物、热电转换元件、

致冷元件等。

Properties: Silver grey ingot, 3Kg~5Kg/ingot.

Packing: Packed in vacuum plastic bag.

Application: Mainly used for the preparation of II-IV compound semiconductor, infrared detector,

CdTe solar cell, Bi2Te3, thermoelectric conversion element, refrigeration element, etc.

高纯碲High Purity Tellurium

规格 Te-5N Te-6N Te-7N及以上

Specification| ( 99*** )|( 999*** )| ( 99.999*** min

杂质总含量 ≤10ppm ≤1ppm ≤0.1ppm .

性状:银灰色块状。

包装:尺寸及包装可根据用户要求定制。

用途:主要用于碲化镉太阳能电池、制冷片、半导体、红外探测、合金材料等领域。

Properties: Silver grey ingot.

Packing: custom-made forms and sizes are available upon request.

Application: Mainly used in CdTe solar cell, refrigeration sheet, semiconductor, infrared detector and

alloys, etc.

氧化碲Tellurium Oxide

规格 TeO2-4N (99.***)| TeOz-5N (99.9***)

杂质总含量T≤100ppm ≤10ppm

性状:白色粉末状。

包装:塑料内袋包装再桶装，25公斤/桶。

用途:主要用于制备二氧化碲单晶,红外窗口材料,电子元件材料及防腐剂等。

Properties: White powder

Packing: 25Kg/ drum with inner plastic bag.

Application: Mainly used for the preparation of TeO2 crystal, infrared material, electronic components

and preservative, etc.

五、锡系列:

高纯锡High Purity Tin

规格 Sn- 5N ( 99*** )

杂质总含量≤10ppm

性状:银白色锭状, 500克或1000克/锭，可根据用户要求定制。

包装:塑料袋真空封装。

用途:主要用于制备化合物半导体，高纯合金，***温冷却合金，超导材料，焊料以及化合物半导体的掺杂剂，ITO

材料等。

Properties: Silver-white ingot, about 500g, 1000g per ingot, custom- made sizes are available upon

request.

Packing: Packed in vacuum plastic bag.

Application: .Mainly used for the preparation of compound semiconductor, high purity alloys, ultra -low

temperature cooling alloy, superconductor, solder and dopants, 11 O, etc.

高纯锡珠High Purity Tin Granule

规格Sn-5N ( 99.9*** )

杂质总含量≤10ppm

性状:银白色珠状，常规直径3~5mm。

包装:塑料袋真空封装。

用途:主要用于制备化合物半导体，高纯合金，***温冷却合金，超导材料，焊料以及化合物半导体的掺杂剂，ITO

材料等。

Properties: Silver -white granule, common-used diameter is 3~5mm.

Packing: Packed in vacuum plastic bag.

Application: Mainly used for the preparation of compound semiconductor, high purity alloy, ultra-low

temperature cooling alloy, superconductor, solder and dopants,ITO, etc.

高纯锌High Purity Zinc

规格 Zn-5N Zn-6N Zn-7N

( 99.9*** ) ( 99.99*** ) |( 99.999*** )

杂质总含量≤10ppm ≤1ppm ≤0.1ppm

性状:银白色粒状。

包装:尺寸及包装可根据用户要求定制。

用途:主要用于制备化合物半导体、红外发光材料、还原剂、合金及汽车工业中精密铸件等。

Properties: Silver-white granule.

Packing: Custom-made forms and sizes are available upon request.

Application: Mainly used for the preparation of compound semiconductor, infrared luminescent

materials, reductant, alloys and precision casting in automobile industry, etc.

七、镉系列

高纯镉High Purity Cadmium

规格 Cd-6N Cd-7N及以上

( 99.99*** ) ( 99.999*** min )

杂质总含量≤1ppm ≤0.1ppm .

性状:银白色锭状。

包装:滤纸包裹后，再用尼龙复合袋真空包装。

用途:主要用于核辐射探测、红外探测等领域。

Properties: Silver -white Ingot.

Packing: Packed in vacuum nylon composite bag after wrapped with filter paper.

Application: Mainly used for nuclear radiation detection and infrared detector industry, etc.

高纯锑High Purity Antimony

规格 Sb-6N Sb-7N及以上

( 99.99*** ) ( 9.999*** min )

杂质总含量≤1ppm ≤0.1ppm

性状:银白色块状金属。

包装:聚乙烯塑料瓶包装，再用塑料薄膜真空密封。

用途:主要用于制备II-V族化合物半导体、高纯合金、电子致冷元件材料以及用作锗、硅单晶掺杂剂等。

Properties: Silver-white pieces.

Packing: Packed in plastic bottle and with vacuum plastic bag.

Application: Mainly used for the preparation of II -V compound semiconductor, high purity alloy,

electronic refrigerating elements and dopants of Germanium and Silicon, etc.

高纯砷High Purity Arsenic

规格 As-6N As-7N

( 9.99*** ) ( 99.999*** )

杂质总含量≤1ppm ≤0.1ppm

性状:银灰色块状金属

包装: 1.5公斤/瓶，12 公斤/箱。

用途主要用于制备砷化镓、砷化铟等II-V族化合物半导体材料及硅、锗单晶掺杂剂、As2Se3 (红外线透射玻璃、

激光印刷机等)、As2S3 (红外线透射玻璃)等。

Properties: Silver-grey pieces.

Packing: 1. 5Kg/bottle, 12Kg/carton.

Application: Mainly used for the preparation of II-V compound semiconductor, such as GaAs，InAs,

dopants of Germanium and Silicon, As2Se3, As2S3, etc.

高纯碳粉High Purity Carbon Powder

规格 C-5N C-6N

( 99.9*** ) ( 99.99*** )

杂质总含量≤10ppm . ≤1ppm

性状:黑色粉末状。

包装:尺寸及包装可根据用户要求定制。

用途:主要用于合成高纯碳化硅粉末、新型电子产品导热材料、高端锂电池负极材料等。

Properties: Black powder.

Packing: Custom-made forms and sizes are available upon request.

Application: Mainly, used to, synthesize high-purity SiC powder, new thermally conductive materials

for electronic products, high-end lithiumbattery cathode materials, etc.