IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双型三管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。
IGBT模块通常由多个IGBT晶体管、自由轮二极管、驱动电路和保护电路组成。它们装在一个模块化的外壳中，方便安装和使用。

IGBT模块的特点是具有率、高速度、高可靠性和高功率密度等优点，被广泛应用于变频器、电力电子设备、电机驱动系统、太阳能逆变器、风力发电系统等领域。

IGBT模块是一种集成了多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路的半导体器件。IGBT是一种功率半导体器件，具有高电压、高电流和高开关速度的特点，被广泛应用于电力电子设备中，如变频器、电力逆变器、电机驱动器等。

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