双电测四探针测试仪/四探针测试仪　型号：DP/RTS-5

DP/RTS-5型双电测四探针测试仪采用了四探针双电测组合(亦称双位组合)测量技术,将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上,利用电流探针、电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。因而每次测量不必知道探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置。由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此***降低了几何因素影响，从而提高了测量结果的准确度。所有这些，用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是无法实现的。

技术参数：

测量范围 电阻率：0.001～200Ω.cm(可扩展)；

方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)；

电导率：0.005～1000 s/cm；

电阻：0.001～200Ω.cm；

可测晶片厚度 ≤3mm

可测晶片直径 140mmX150mm(配2A型测试台)；

200mmX200mm(配2B型测试台)；

400mmX500mm(配2C型测试台)；

恒流源 电流量程分为0.1mA、1mA、10mA、100mA四档，各档电流连续可调

数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　

分辨力：10μV；

输入阻抗：>1000MΩ；

精度：±0.1% ；

显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；

四探针探头基本指标 间距：1±0.01mm；

针间绝缘电阻：≥1000MΩ；

机械游移率：≤0.3%；

探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；

探针压力：5～16 牛顿(总力)；

四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)

模拟电阻测量相对误差

( 按JJG508-87进行) 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整机测量大相对误差(用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试)≤±4%

整机测量标准不确定度 ≤4%

计算机通讯接口 并口

标准使用环境 温度：23±2℃；

相对湿度：≤65%；

无高频干扰；

无强光直射；

注：页面价格只是配件价格或产品库存数量，并非产品价格 ，具体价格面议。