| 产品特性:低内阻SGT | 品牌:捷瑞德 | 型号:JRP02N06 |
| 封装:TOLL-8L | 批号:202412 | FET类型:N |
| 漏源电压(Vdss):60V | 漏极电流(Id):140A | 漏源导通电阻(RDS On):2.0mΩ |
| 栅源电压(Vgs):±20V | 栅极电荷(Qg):68.4nC | 反向恢复时间:70nS |
| 最大耗散功率:192300mW | 工作温度范围:-55-150℃ | 应用领域:***/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |
JRP02N06, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced SGT technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications.
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点击查看>| 企业类型 | 有限责任公司 | 注册资本 | 100.00万人民币 |
| 公司注册地址 | 深圳市南山区创业路北怡海广场商住楼16D | 统一社会信用代码 | 914403007649571877 |
| 登记机关 | 南山局 | 法定代表人 | 陈云玉 |
| 公司成立日期 | 2004-07-16 | 营业期限 | 2004-07-16 至 无固定期限 |
| 经营范围 | 一般经营项目是:电子元器件、电子产品的购销(不含专营、专控、专卖商品);经济信息咨询(不含限制项目);经营进出口业务。(以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营),许可经营项目是: | ||

