产品特性:大功率 | 品牌:VBsemi/微碧半导体 | 型号:AP18T10GH-VB |
封装:TO252 | 批号:24+ | FET类型:MOS |
漏源电压(Vdss):100V | 漏极电流(Id):18A | 漏源导通电阻(RDS On):115mΩ@VGS=10V |
栅源电压(Vgs):1.6V | 栅极电荷(Qg):标准 | 反向恢复时间:标准 |
最大耗散功率:标准mW | 配置类型:Single | 工作温度范围:标准 |
安装类型:表面贴片 | 应用领域:汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源 |
深圳市微碧半导体有限公司,是一家专业从事制造场效应管中低压mos(12V~250V)、高压mos(300V~1000V)、超结mos(500V~900V)功率场效应管(MOSFET),晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持为一体的国家高新技术企业,企业研发中心位于中国台湾新竹。 企业以自有的品牌“微碧VBsemi”并以其为核心,积极批量开发,致力服务于中高端市场的终端制造商,整体生产体系严格执行ISO9001国际质量标准,企业拥有20余项专利,软件著作权以及各种荣誉称号,同时还引进多台国外***设备,含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域,掌握多项场效应管核心制造技术,提供个性化参数调控,为客户量身定制,全方面为客户解决方案的MOSFETs场效应管制造商。 企业以自有的品牌“微碧VBsemi”并以其为核心,积极批量开发,致力服务于中高端市场的终端制造商,整体生产体系严格执行ISO9001国际质量标准,企业拥有20余项专利,软件著作权以及各种荣誉称号,同时还引进多台国外***设备,含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域,掌握多项场效应管核心制造技术,提供个性化参数调控,为客户量身定制,全方面为客户解决方案的MOSFETs场效应管制造商。 从创立到现在,微碧半导体真正实现了场效应管一体化的服务链,十多年来,企业历尽风霜雪雨,赢得了广大客户的信赖和支持。 微碧半导体正以饱满的激情,拼搏务实的干劲,不断创新进取,致力于为终端客户群体打造出一座高效、便捷、直通、优质的服务桥梁,匠于芯,精于质,可靠之管微碧制造,热诚欢迎社会各界到企业参观指导!
点击查看>企业类型 | 有限责任公司 | 注册资本 | 1000.00万人民币 |
公司注册地址 | 深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502 | 统一社会信用代码 | 91440300056161233X |
登记机关 | 深圳市市场监督管理局 | 法定代表人 | 洪俊贤 |
公司成立日期 | 2012-10-08 | 营业期限 | 2012-10-08 至 无固定期限 |
经营范围 | 一般经营项目是:半导体、集成电路、场效应管、电子元器件、电子产品的技术开发、销售;应用电路方案设计;经营电子商务;货物及技术进出口;半导体分立器件制造;集成电路芯片及产品制造。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动),许可经营项目是: |