该系统为球形脉冲激光沉积系统（PLD）工艺研发设备。脉冲激光沉积 （Pulsed laser deposition, PLD），就是将激光聚焦于靶材上一个较小的面积，利用激光的高能量密度将部分靶材料蒸发甚至电离，使其能够脱离靶材而向基底运动，进而在基底上沉积，从而形成薄膜的一种方式。 在众多的薄膜制备方法中，脉冲激光沉积技术的应用较为广泛，可用来制备金属、半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各种物质薄膜，甚至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物膜等。

1、环境温度：10℃～35℃
2、相对湿度：不大于75%
3、供水：水压0.2MPa～0.4MPa,水温15℃～25℃
4、设备周围环境整洁，空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。

产品名称

球形脉冲激光沉积系统（PLD）
安装条件
1、环境温度：10℃～35℃
2、相对湿度：不大于75%
3、供电电源：220V、单相、50±0.5 Hz
4、设备功率：小于4KW
5、供水：水压0.2MPa～0.4MPa,水温15℃～25℃，
6、设备周围环境整洁，空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。

主要参数
1、系统采用真空室为球形结构，手动前开门
2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造（304），氩弧焊接，表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理
3、真空腔室有效尺寸为Φ300mm,配有可视观察窗口
4、极限真空度：≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后，采用600L/S分子泵抽气，前级采用8L/S)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到8.0x10-4 Pa，40分钟可达到； 停泵关机12小时后真空度：≤20Pa
5、样品台：样品尺寸φ40mm，转速1-20RPM，基片台与转靶距离40～90mm
6、样品加热加热温度：800℃，温控精度：±1°C，采用控温表进行控温
7、四工位转靶：每个靶位φ40mm,挡板只露出一个靶位，激光束要求打在最上面靶位，转靶具有公转、自转功能
8、真空室内设置烘烤、照明、水压报警装置
9、MFC一路质量流量计控制进气 ：0-100sccm