外延片检测机构,外延片翘曲度检测中心
外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中,硅片***层是P型衬底硅(有的加点埋层);然后在衬底上生长一层单晶硅,这层单晶硅称为外延层;再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构:外延层在其中是集电区,外延上面有基区和发射区。在双极型器件和集成电路中,主要是为了减小集电极串联电阻,以降低饱和压降与功耗。在集成电路芯片中,还与实现隔离有关,这时往往还要加设埋层。
到样后7-10个工作日(可加急),根据样品及其检测项目/方法会有所变动,具体需咨询工程师。

1、GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
2、GB/T 35310-2017 200mm硅外延片
3、GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
4、GB/T 14015-1992 硅-兰宝石外延片
5、GB/T 14139-2019 硅外延片
6、GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
碳化硅外延、氮化镓外延等。
翘曲度检测,表面粗糙度检测、表面质量检测,反射率检测,光谱分析,峰值波长检测,波长均匀性检测,表面形貌分析,厚度检测等
以上是有关外延片翘曲度检测的相关介绍,如有其他检测需求可以咨询实验室工程师帮您解答。清析技术研究院致力于产品研发、成分检测、成分分析、配方还原、未知物分析、材料化工检测等技术服务,实验室设施齐全,可提供CMA/CNAS资质检测报告。
外延片翘曲度检测周期
到样后7-10个工作日(可加急),根据样品及其检测项目/方法会有所变动,具体需咨询工程师。

外延片翘曲度检测标准
1、GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
2、GB/T 35310-2017 200mm硅外延片
3、GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
4、GB/T 14015-1992 硅-兰宝石外延片
5、GB/T 14139-2019 硅外延片
6、GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
外延片翘曲度检测范围
碳化硅外延、氮化镓外延等。
外延片检测项目
翘曲度检测,表面粗糙度检测、表面质量检测,反射率检测,光谱分析,峰值波长检测,波长均匀性检测,表面形貌分析,厚度检测等
以上是有关外延片翘曲度检测的相关介绍,如有其他检测需求可以咨询实验室工程师帮您解答。清析技术研究院致力于产品研发、成分检测、成分分析、配方还原、未知物分析、材料化工检测等技术服务,实验室设施齐全,可提供CMA/CNAS资质检测报告。
供应商信息
| 企业类型 | 个人独资企业 | 注册资本 | 1200.00万人民币 |
| 公司注册地址 | 北京市海淀区王庄路1号B座6层7-C房间 | 统一社会信用代码 | 91110108MA00699J75 |
| 登记机关 | 北京市海淀区市场监督管理局 | 法定代表人 | 徐晓玲 |
| 公司成立日期 | 2016-06-17 | 营业期限 | 2016-06-17 至 无固定期限 |
| 经营范围 | 工程和技术研究与试验发展;医学研究与试验发展;自然科学研究与试验发展;农业科学研究与试验发展;技术推广、技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让;技术检测。(市场主体依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。) | ||
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