PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200系列

（PICOSUN? ALD R-200）

名称：原子层沉积系统   产地：芬兰

Picosun简介

Picosun是一家全球公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括zui  大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有独特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引ling行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。

   PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现***的均匀性，包括***挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更***的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。在最基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN? R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。

PICOSUN?R-200标准

PICOSUN?R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场***。它已成为创新驱动的公司和研究机构的工具。

敏捷的设计实现了质量的ALD薄膜沉积以及系统的最终灵活性，可以满足未来的需求和应用。的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们***Picoflow?技术，即使在***挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN?R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。

PICOSUN?R-200***

PICOSUN?R-200 Advanced ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。

群集工具，Picoflow?扩散增强剂，卷对卷室，RGA，UHV兼容性，N2发生器，气体洗涤器，定制设计，用于惰性装载的手套箱集成PICOSUN?R-200***ALD系统是***ALD研究工具的全球市场***，已有数百个客户安装。它已成为创新驱动的公司和研究机构的工具。

敏捷的设计实现了质量的ALD薄膜沉积以及最终的系统灵活性，可以满足未来的需求和应用。的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们***Picoflow?技术，即使在***挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也能实现出色的均匀性。 PICOSUN?R-200 Advanced系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学品前体源。高效且获得的远程等离子选件可实现金属沉积，而没有短路或等离子损坏的风险。与手套箱，UHV系统，手动和自动装载机，集群工具，粉末仓，卷对卷仓以及各种原位分析系统集成在一起，无论您现在或将来的研究领域如何，都可以高效，灵活地进行研究，并获得良好的结果稍后。

（*）等离子发生器技术特点：

远程血浆源安装到装载室并与反应室连

出色性能的适用于不同化学性质的蓝宝石涂药器

商用微波等离子体发生器，具有300 – 3000 W可调功率，2.45 GHz频率

保护气体在中间空间中流动（无等离子体物质的反向扩散）

在相同的沉积过程中，等离子体和热ALD循环的可能性，而无需对系统进行硬件更改

型号：PICOSUN? ALD PP-200 Pro

PICOSUN? P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了的产出效率，并且具有的工艺纯度和薄膜均匀性，甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。PICOSUN? P系列ALD高效紧凑的设计节约了昂贵的场地成本，系统的易维护性减少了停工期。对于系统的维护、工艺故障的排除，我们为客户提供专业的售后服务Picosupport?。根据用户的需求，确保每时每（24/7/365）快速提供全面的解决方案。在购买之前，我们提供做样服务，确保系统具有的性能，完全满足您的需求。

ALD主要应用：

1.在集成电路上的应用：Fin-FET和HKMG工艺在Si衬底上长高K绝缘层HfO2，La2O3，Ta2O5，Al2O3等；电容器金属电极；晶体管栅电极；TSV电镀铜前长阻挡层和种子层；

2.在显示中的应用：在Micro-LED中通过在沟槽中长钝化层来改善光散射性能；在OLED中低温长防水层。

3.在激光器和功率器件的应用：VCSEL侧面长AlN、Al2O3保护层；GaN高频器件T Gate刻蚀后去氧化层并镀上保护层。

4.验证光刻胶性能：第三方实验室或者工厂FA部门，涂胶后通过低温ALD镀一层很薄的膜来保持住光刻胶的整体形貌，然后通过FIB+TEM等方法来验证光刻胶性能，如果不镀膜直接上FIB或TEM会破坏光刻胶原有的形貌，无法获得准确的结果。

5.其他应用：MEMS/SAW等做高均匀性镀膜，锂电池、医疗等行业等粉末镀膜。

技术指标

应用领域

客户使用PICOSUN? R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。