一、产品整体概述

MoCu30（Mo70Cu30）钼铜合金属于熔渗型钼铜复合材料，执行电子行业标准 SJ20848?2002，钼与铜互不固溶，依靠粉末冶金熔渗工艺成型，钼形成刚性骨架，无氧铜填充孔隙，形成互穿双相金属网络结构。 铜含量 30±3%，钼占 70%，杂质总含量控制≤0.1%。该牌号导热导电能力在常规钼铜牌号中表现优异，热膨胀系数随之升高，多用于大功率激光器、高频微波射频器件、新能源功率模块热沉。 与 MoCu20 对比：铜含量更高，热导率、导电性能更好，热膨胀系数更高，更适合对散热要求极高，对陶瓷匹配度要求宽松的工况； 与 MoCu40 对比：热膨胀***，结构强度更高，导热略低于 MoCu40； 与 WCu30 钨铜对比：密度***、重量轻，轻量化优势突出；耐高温、抗电弧烧蚀弱于钨铜，适合重量敏感高功率电子封装场景。

二、生产工艺流程

高纯钼粉配料→冷等静压压制成钼素坯→氢气气氛预烧结，制备可控孔隙钼骨架→高温真空熔渗无氧铜，铜液充分浸润渗入钼骨架孔隙→去除表面多余浮铜→热处理去应力→校平、裁切、探伤分选→毛坯出货，或 CNC 精密机加工为圆片、垫片、热沉等成品件，可按需做镀镍、镀银表面处理。 熔渗工艺保障材料高致密度，气密性良好；全程气氛保护，严控氧杂质，保障导热导电性能稳定。

三、关键物理与力学性能

密度≥9.8g/cm?； 室温热导率≥180W/(m?K)； 室温?300℃热膨胀系数 8.1?9.1×10??/K； 无固定单一熔点，铜相优先熔化温度约 1083℃； 室温抗拉强度 380?480MPa； 注意事项：材料内部铜相在高温有氧环境易氧化，长期使用温度不宜超过 800℃，优先真空、惰性气氛使用。

四、主要应用领域

1、半导体微电子封装：大功率 IGBT 模块、高功率激光器热沉、新能源功率器件散热基底，快速导出高热量，降低器件热应力； 2、高频微波射频器件：行波管收集极、射频载板，高频大功率电子器件散热构件； 3、真空电器行业：继电器、开关抗电弧触头、导电连接垫片、圆环； 4、靶材行业：钼铜溅射靶坯基材； 5、航空航天电子：轻量化大功率电子散热零部件，替代钨铜减轻整机重量； 6、其他：各类电子行业垫片、衬板、非标精密钼铜机加工件。

五、加工与选型提示

1、机加工：MoCu30 可车、铣、钻、磨；选用硬质合金刀具，铜占比高容易粘刀，控制进给速度，适合薄片薄壁件精密加工；如需钎焊可选择镀镍镀银处理。 2、焊接：适合真空钎焊；不适合普通空气环境焊接。 3、选型参考：追求极低热膨胀选 MoCu10；陶瓷封接优先 MoCu15、MoCu20；大功率散热优先 MoCu30；追求导热选 MoCu40；强抗电弧耐高温工况选用钨铜 WCu 系列。 4、使用限制：高于 800℃工况铜相软化流失，不适合高温炉长期受热结构件。