概述

PT6305 是一款保护 5 串锂离子/聚合物电池的电池保护

芯片，可降低因电池过充，过放，过流，过温和/或过流条

件而导致的电池损坏或寿命缩短的风险。

小型的 TSSOP-16 封装和少的外部元件需求使芯片

易于整合至空间有限的电池包里。

±25mV 的过充电检测电压精度电池安全的全容量

充电。±10mV 的电流检测电压精度放电过流准确触发。

PT6305 的充电过温保护阈值和放电过温保护阈值可通

过外部电阻独立设置。

PT6305可以直接驱动外部P型或N型的充电MOSFET

和 N 型放电 MOSFET。

PT6305 的低功耗设计让电池包在存储阶段只消耗微不

足道的电流。

应用

电动工具

特点

内置电压检测电路：

过充电检测电压：

VCOV = 4.350V/4.225V/3.85V/3.65V

精度：±25mV

过放电检测电压：

VCUV = 2.8V / 2.7V / 2.5V / 2.3V

精度：±80mV

温度保护电路

放电过温保护 DOT

放电低温保护 DUT

充电过温保护 COT

充电低温保护 CUT

内置三段放电过电流检测电路：

过电流 1 检测电压：

VDOC1= 50mV / 100mV / 150mV / 200mV

精度：±10mV

过电流 2 检测电压：

VDOC2= 2* VDOC1 精度：±20mV

负载短路检测电压：

VPSC=4* VDOC1 精度：±50mV

充电过电流检测电路：

VCOC = 25mV / 75mV 精度：±7mV@25mV

独立的充电过温阈值设置和放电过温阈值设置

集成电池连接线断线检测功能

集成 P 型和 N 型充电 MOSFET 驱动

放电过流 1 和放电过流 2 延迟时间外部设置引脚

低消耗电流：

工作状态时：<20μa

欠压状态时：<5μa

封装：TSSOP-16

DOT 阈值设定

如图 9，DOT 阈值由连接到 VTD 的电阻 R1 设定：

R1=9*RDOT

其中，RDOT 是热敏电阻 103AT 在 DOT 温度阈值所对应的阻值。

例如：

设置 DOT 阈值为 65°C，对应的热敏电阻阻值 RDOT=2.588KΩ，则 R1=23KΩ。

设置 DOT 阈值为 70°C，对应的热敏电阻阻值 RDOT=2.228KΩ，则 R1=20KΩ。

设置 DOT 阈值为 75°C，对应的热敏电阻阻值 RDOT=1.924KΩ，则 R1=17KΩ。

COT/CUT 阈值设定

COT/CUT 阈值由连接到 VTC 的电阻 R2 设定：

R2=4.75RCOT

其中，RCOT 是热敏电阻 103AT 在 COT 温度阈值所对应的阻值。

CUT 阈值由 RCOT 决定：

RCUT=8.62RCOT

例如：

设置 COT 阈值为 45°C，对应的热敏电阻阻值 RCOT=4.911KΩ，则 R2=23KΩ，RCUT=42.3KΩ，对应的 CUT 阈值为-

8.2°C。

设置 COT 阈值为 50°C，对应的热敏电阻阻值 RCOT=4.16KΩ，则 R2=20KΩ，RCUT=36.3KΩ，对应的 CUT 阈值为-5°C。

COT 阈值和 DOT 阈值由外部电阻 R1 和 R2 分别设置，可使应用更加灵活和便利。

取消 DOT/COT/CUT/DUT 功能：

用 20KΩ 的电阻替代热敏电阻将不会触发 COT、DOT、DUT 和 CUT。

仅取消 CUT/DUT 功能：

将一个 51KΩ 的电阻与热敏电阻并联将不会触发 CUT/DUT。

6. 过充电保护

芯片周期性检测电芯电压，一旦任何一节电池电压连续两次超过 VCOV，芯片进入过充电保护状态(COV)，充电驱动关闭。

如果芯片检测到每节电池的电压连续两次低于 VCOVR，芯片退出过充电状态，此时若无其他充电保护事件，则打开充电

MOSFET 驱动。

7. 过放电保护

芯片一旦检测到任何一节电池电压连续两次低于 VCUV，芯片就进入过放电保护状态(CUV)，放电驱动关闭。

如果芯片检测到每节电池的电压连续两次高于 VCUVR，芯片退出过放电状态，打开放电驱动。

8. 电池连接线断线检测功能

芯片进入过放电保护状态(CUV)后，启动断线检测功能，一旦检测到任何一节电池电压低于 VOW，芯片进入断线保护状

态(OW)，充电驱动关闭。如果芯片检测到每一节电池电压高于 VOWR，芯片退出断线保护状态，充电驱动打开。

当芯片配置为允许 0V 充电时，OW 保护功能被屏蔽，断线检测由 COV 触发。

9. 关断状态

一旦 VCC 的电压降低至 VPOR-DW 以下超过 100μs 芯片进入关断模式，充放电驱动全部关闭（0V 禁止充电），芯片功

耗降低至 1μA 以下。

10. 延迟时间设置

电压检测周期 TSCN和温度检测周期由芯片内部时钟决定。

SC 和 COC 的延迟时间由芯片内部固定。

DOC1 的延时时间由 OC1S 引脚的电容决定。

TDOC1 [s] = 0.1*COC1S [nF]

DOC2 的延时时间由 OC2S 引脚的电容决定。

TDOC2 [s] = 0.01*COC2S [nF]

OC1S/OC2S 开路，对应的过流保护立刻触发，OC1S/OC2S 短路，对应的过流保护延迟为固定值。