Trymax提供用于去胶、预处理、光蚀刻、表面处理和清洁的等离子反应腔，工艺过程采用干燥和环保的工艺。

去胶：包括剥离光刻胶, 去胶过程通常在离子注入或蚀刻后进行。
预处理：去除晶圆上残留的光刻胶或聚酰亚胺，应用于晶圆制造前段或晶圆级封装。
蚀刻：材料如Si3N4，SiO2和多晶硅等各向同性蚀刻。具有极高的性价比。
表面改性：在湿法蚀刻前进行表面活化，以改善蚀刻工艺步骤。在沉积前提高表面附着力等方面的应用。
清洁：多种清洁方式。例如，等离子体清洗可以在湿法蚀刻完成清洗步骤之后进行，或者在干燥后从空腔或通孔中去除一些残留聚合物之后进行。

Trymax NEO 200A系列

NEO 200A是Trymax半导体设备去胶和蚀刻产品且为小占地面积的单腔。它是一个完全自动化的单腔系统且可以配置当前任何可用的Trymax NEO工艺模块，它与直径达200mm的衬底兼容并且这款小尺寸的NEO 200A配有两个上料台。

特性

- 100/150/200mm衬底尺寸
-双卡塞上料台
-4轴双臂机器人操作
-提供3种不同的工艺室：
      - 微波下游（2.45GHz）
      -射频偏压（13.56 MHz）
      -双电源（微波、射频偏压）
-机台产量>100wph
-较小的占地面积
-较低的拥有成本
-全数字控制，设备网-以太网
-基于Windows的工业计算机

应用：

-整体抗蚀剂，LDI抗蚀条
-预处理加工
-聚合物去除
-大剂量后植入条
-氮化硅/碳化硅蚀刻应用
- TaSi蚀刻
-MEMS应用
-***包装加工（PR、PI、BCB、PBO）
-射频滤波器BAW/SAW抗蚀处理

Trymax NEO 2000系列

NEO 2000生产线是来自Trymax半导体设备的一种等离子去胶/蚀刻系统，采用了新的光刻胶去除技术。NEO 2000设计用于直径为100mm至200mm的基片上。

它配备了一个快速传输平台，灵活可配置，且可同时处理不同尺寸的基片，无需更换硬件。NEO 2000系列具有紧凑的模块化设计，可提供高生产量，以实现低的拥有成本。

- 衬底尺寸可配置100/150/200mm
- 3或4个Loadport 或2个集成SMIF 的 Loadport
-5轴双臂机器人，需使用特定的衬底夹持器进行操作
-可提供3种不同的工艺室技术：
      - 微波源 2.45GHz）
      - 射频源 13.56 MHz）
      - 双电源（微波、射频偏压）
- 机械传片率200wph
-较小的占地面积
-较低的拥有成本
-全数字控制，设备网-以太网
-基于Windows的工业计算机

应用

- 光阻灰化，LDI后光刻胶去除
- 预处理加工
- 聚合物去除
- 大剂量离子注入后光阻去除
- 氮化硅和碳化硅刻蚀
- TaSi蚀刻
- MEMS（微电子机械系统）应用
- ***封装工艺 PR、PI、BCB、PBO）
-射频滤波器BAW/SAW工艺中的光阻去除

NEO 3000 

NEO3000是Trymax 公司NEO系列中已被长期使用的机台，用于等离子灰化和蚀刻工艺。

NEO3000已为您的高产能做好了准备，它适应半导体生产每一个阶段和预算。NEO3000系列可以搭配任意现有的NEO工艺模块并且可以支持直径为300毫米的基片。它采用模块化设计，体积小，占地面积小，可根据您的需要灵活搭配。NEO3000系列可兼容直径为200毫米及300毫米的基片。

特性

-支持直径为200和300毫米的基片
-支持2个外面挂着的SMIF上料台。
-全自动5轴双手臂传送机械臂
-支持3种不

同的工艺腔室：
-微波下游（2.45GHz）
-射频偏压（13.56MHz）
-双电源系统（微波+射频偏压）
-机械产能>300片/小时
-较小的占地面积
-较低的拥有成本
-完全数控化机台：DeviceNET通讯及以太网通信
-基于windows平台的工业计算机
-晶圆冷却平台及缺口校准器