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IXFH22N65X2是IXYS(现为Littelfuse)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用HiPerFET?X2系列技术,具备高耐压、低导通电阻和低栅极电荷等特性,适用于高效率电源转换和电机驱动等场景

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品牌:IXYS艾赛斯 型号:IXFH22N65X2封装:TO-247-3
批号:21+漏源电压(Vdss):650 V漏极电流(Id):22 A
漏源导通电阻(RDS On):160 mOhms栅源电压(Vgs):- 30 V, 30 V栅极电荷(Qg):38 nC
最大耗散功率:390 WmW工作温度范围:- 55 C~150应用领域:汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 物联网IoT
IXFH22N65X2 IXYS艾赛斯 MOSFET场效应管 原装现货 竞价热卖

IXFH22N65X2 是 IXYS(现为 Littelfuse)推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 HiPerFET? X2 系列技术,具备高耐压、低导通电阻和低栅极电荷等特性,适用于高效率电源转换和电机驱动等场景。 以下是其详细介绍:



一、核心参数

耐压与电流

漏源电压(Vdss):650V(可承受高电压环境,如工业电源、太阳能逆变器等)。

连续漏极电流(Id):22A(25°C 壳温下,适合中等功率应用)。

脉冲漏极电流(Idm):44A(短时过载能力)。

导通电阻(Rds(on))

在 Vgs=10V、Id=11A 时,导通电阻为 145mΩ(部分数据为 160mΩ,可能因测试条件差异)。

低导通电阻可减少导通损耗,提升效率。

栅极特性

栅源阈值电压(Vgs(th)):5.5V @ 1.5mA(驱动电压需高于此值以完全开启 MOSFET)。

栅极电荷(Qg):38nC @ 10V(低栅极电荷可减少开关损耗,提高开关频率)。

功率与温度

功率耗散(Pd):390W(25°C 壳温下)。

工作温度范围:-55°C 至 150°C(适合宽温环境,如工业控制、汽车电子)。

封装与安装

封装类型:TO-247(3 引脚,通孔安装)。

物理尺寸:长度 16.24mm,宽度 21.45mm,高度 5.3mm。

重量:约 6g。


二、技术特点

HiPerFET? X2 系列技术

通过优化芯片结构和工艺,***降低导通电阻(Rds(on))和栅极电荷(Qg),提升开关效率。

内置高速本征二极管,支持硬开关和谐振模式应用。

低封装电感

TO-247 封装设计减少寄生电感,降低开关噪声和电压尖峰,提高电路稳定性。

雪崩额定

具备雪崩能量承受能力,可应对瞬态过压事件,增强可靠性。


三、应用领域

电源转换

直流-直流(DC-DC)转换器、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路。

太阳能逆变器、不间断电源(UPS)。

电机驱动

交流和直流电机驱动器、机器人控制、伺服系统。

低导通电阻和快速开关特性适合高频 PWM 控制。

工业控制

温度控制、照明控制、工业自动化设备。

高耐压和宽温特性满足恶劣环境需求。

四、优势总结

高效率:低 Rds(on) 和 Qg 减少导通和开关损耗,提升整体效率。

高可靠性:雪崩额定、宽温范围和工业级封装确保长期稳定运行。

易用性:标准 TO-247 封装兼容多数散热设计,简化安装流程。

成本效益:在 650V 耐压等级中,提供平衡的性能与价格,适合批量应用。


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一般经营项目是:半导体芯片、电子产品、电子元器件、通讯产品、高新技术产品、环保节能产品的技术开发与销售;国内贸易;货物及技术进出口。(法律、行政法规、***决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营),许可经营项目是:

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公司注册地址 深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场5406B 统一社会信用代码 914403003597104985
登记机关 深圳市市场监督管理局 法定代表人 李明
公司成立日期 2015-12-29 营业期限 长期有效
经营范围 一般经营项目是:半导体芯片、电子产品、电子元器件、通讯产品、高新技术产品、环保节能产品的技术开发与销售;国内贸易;货物及技术进出口。(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营),许可经营项目是:
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