截面 + 平面一体化研磨，一机多用无需更换主机，切换模式即可完成断面制备与表面离子抛光，兼顾界面观测与 EBSD 前处理，节约实验室采购成本。

可选低温控制系统，热敏材料友好针对高分子、锂电池极片、软质树脂样品，低温研磨抑制热变形、烧蚀，获取真实完整内部微观结构。

支持真空转移，防止敏感样品氧化研磨完成后真空密闭***至 SEM，锂金属、活泼合金、半导体新鲜断面隔绝空气，避免氧化干扰观测结果。

高效离子枪，硬质材料快速制样 500μm/h 研磨速率，陶瓷、半导体、金属硬质样品缩短制样周期，提升样品流转效率。

降低样品机械损伤，适配多层异质材料区别机械切割 / 研磨，不存在软硬材质选择性抛光现象，复合材料、多层薄膜界面平整清晰，无褶皱与形变。